文献

J-GLOBAL ID：201002245535580486   整理番号：10A1617784

高k誘電体に応用するニッケルシリサイド形成におけるドーパント強化

Dopant enhanced in nickel silicide formation for high-k dielectric applications

著者 (1件)： TAN S. Y. (Chinese Culture Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21  号： 11  ページ： 1195-1201  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiSiはCMOSの微細電極として好ましい材料ではあるが,熱的に安定な相ではなく高温で抵抗の高いNiSi₂に変化してしまう。ヒ素をドープした完全シリサイド化NiSi(Ni-FUSI)の熱安定性を調べた。調査したゲート構造はNi-FUSI/HfO₂/SiとNi-FUSI/HSiO/Siである。下地のゲート誘電体に拘わらず,ヒ素導入によって高プロセス温度におけるNiSiの形態と相安定で改善が見られた。NiSiの相変換並びにヒ素ドーパントと電気的物理的変化との相関を示す。ヒ素不純物によるNi-FUSIゲートの仕事関数変化を,ヒ素の効果とシリサイド相(NiSiとNiSi₂)を比較して示した。NiSiの仕事関数はヒ素ドーパント注入で調節可能であるがNiSi₂相には効果が無いことが確認された。

シソーラス用語： ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  誘電体 ,  ヒ素 ,  仕事関数 ,  X線回折 ,  *ドーパント ,  X線光電子分光法 ,  熱安定性 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： XPS ,  XRD ,  *ケイ化ニッケル ,  高k誘電体

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高k誘電体 ,  応用 ,  ニッケルシリサイド ,  ドーパント ,  強化