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J-GLOBAL ID：201002245626149796   整理番号：10A0247839

室温真空誘起リガンド除去およびZnOナノ粒子のパターン化: 半導体フィルムからプリントエレクトロニクスへ向けて

Room temperature vacuum-induced ligand removal and patterning of ZnO nanoparticles: from semiconducting films towards printed electronics

著者 (13件)： RICHTER Thomas V. (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  RICHTER Thomas V. (Inst. fuer Makromolekulane Chemie, Freiburg, DEU) ,  STELZL Felix (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  STELZL Felix (Fraunhofer Inst. Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg, DEU) ,  SCHULZ-GERICKE Jan (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  SCHULZ-GERICKE Jan (Fraunhofer Inst. Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg, DEU) ,  KERSCHER Benjamin (Inst. fuer Makromolekulane Chemie, Freiburg, DEU) ,  WUERFEL Uli (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  WUERFEL Uli (Fraunhofer Inst. Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg, DEU) ,  NIGGEMANN Michael (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  NIGGEMANN Michael (Fraunhofer Inst. Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg, DEU) ,  LUDWIGS Sabine (Albert-Ludwigs-Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  LUDWIGS Sabine (Inst. fuer Makromolekulane Chemie, Freiburg, DEU)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 20  号： 5  ページ： 874-879  発行年： 2010年02月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブチルアミン存在下でジエチル亜鉛の分解によりZnOナノ粒子を作製し電子素子に応用する場合,リガンドとして用いたブチルアミンが電荷輸送を阻害する。この難点を克服するために,室温における真空誘起「焼結」プロセスでリガンドを完全に除去する新しい方法を開発した。電界効果トランジスタによる測定を用いて,リガンドの除去により粒子間の電子的接触が達成されていることを明らかにした。この方法は,温度に敏感な基板上へのZnOナノ粒子に基づく半導体薄膜の形成に有効である。マイクロインジェクション成形を用いたナノ粒子分散液のパターン化によってプリントエレクトロニクスに対しこの方法が適用できることを示した。

シソーラス用語： *真空処理 ,  マイクロインジェクション ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノ粒子 ,  *半導体素子 ,  *半導体薄膜 ,  パターン形成 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： リガンド ,  汚染物質除去

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： ジエチル亜鉛 ,  ブチルアミン

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  真空 ,  誘起 ,  リガンド ,  ZnOナノ粒子 ,  パターン化 ,  半導体フィルム ,  エレクトロニクス