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J-GLOBAL ID：201002245675281292   整理番号：10A0686406

結晶シリコン中のホウ素-酸素関連再結合中心の恒久的不活性化への酸素の影響

Impact of oxygen on the permanent deactivation of boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon

著者 (3件)： LIM Bianca (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  BOTHE Karsten (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  SCHMIDT Jan (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123707  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドーピングCzochralski成長シリコン中のキャリア寿命は,光誘起ホウ素-酸素関連再結合中心によって最終的に制限される。これらの中心は高温(70~220°C)での照明によって恒久的に不活性化することができる。しかし,恒久的不活性化につながる詳細な欠陥反応はまだ未解決である。本研究では,不活性化過程への酸素の影響を調べた。格子間酸素濃度への不活性化速度の依存性,およびドナー(熱ドナー)として作用する酸素クラスタの発生をもたらす,450°Cでの長期焼なましの影響を調べた。酸素が不活性化過程に関係していることを示唆する,格子間酸素濃度の増加と熱ドナー濃度の増加の両方による不活性化速度の減少を見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 結晶 ,  *ケイ素 ,  ホウ素 ,  酸素 ,  *再結合中心 ,  不活性化 ,  ドーピング ,  Czochralski法 ,  キャリア寿命 ,  高温 ,  照明 ,  欠陥 ,  格子間原子 ,  濃度依存性 ,  速度依存性 ,  ドナー ,  クラスタ ,  焼なまし

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶シリコン ,  ホウ素 ,  酸素 ,  再結合中心 ,  恒久 ,  不活性化