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J-GLOBAL ID：201002245679739390   整理番号：10A0725211

電着積層元素層からの3.2%の効率を持つ黄錫亜鉛鉱(ケステライト)デバイス

A 3.2% efficient Kesterite device from electrodeposited stacked elemental layers

著者 (3件)： SCRAGG Jonathan J. (Dep. of Chemistry, Univ. of Bath, BA2 7AY, GBR) ,  BERG Dominik M. (LPV, Dep. of Physics, Univ. of Luxembourg, L-4422, Luxembourg) ,  DALE Phillip J. (LPV, Dep. of Physics, Univ. of Luxembourg, L-4422, Luxembourg)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 646  号： 1-2  ページ： 52-59  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池吸収体層のための黄錫亜鉛鉱(ケステライト)Cu₂ZnSnS₄(CZTS)の膜調製のための改良電気めっき-焼きなまし法を明らかにする。本材料は,金属前駆体積層のCu/Sn/Cu/Znの順序での連続電着,及びその後の硫黄含有雰囲気下でのスタックの焼きなましによって調製される。新規前駆体はマクロ,及び微視的スケールの両方で明らかに均一であり,このためにCZTS膜の光応答の側面均一性が増加する。この膜から,効率が3.2%の最高の電池を用いた光電素子を調製した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *吸収体 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  半導体薄膜 ,  電着 ,  焼なまし ,  多層膜 ,  光電素子 ,  *エネルギー変換効率 ,  薄膜成長 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  光電流
準シソーラス用語： *ケステライト ,  *積層膜 ,  *薄膜太陽電池 ,  黄錫亜鉛鉱

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電着 ,  元素 ,  黄 ,  錫 ,  亜鉛鉱 ,  ケステライト