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J-GLOBAL ID：201002245731683404   整理番号：10A0222877

効率的有機CMOS回路の容易な作製

Facile Fabrication of Efficient Organic CMOS Circuits

著者 (3件)： DZWILEWSKI Andrzej (Umea Univ., Umea, SWE) ,  MATYBA Piotr (Umea Univ., Umea, SWE) ,  EDMAN Ludvig (Umea Univ., Umea, SWE)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 114  号： 1  ページ： 135-140  発行年： 2010年01月14日 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高機能性N型とP型トランジスタの組合せ(いわゆるCMOS回路)の特異な直接的作製を可能にする新規光誘起変換法を報告した。質量比3:1でN型半導体として[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM)とP型半導体としてポリ3-ヘキシルチオフェン(P3HT)を用い,ゲート誘電体として熱酸化SIO₂薄膜上に混合物の無水クロロベンゼン溶液のスピンコーティング法によって単一層薄膜を製膜した。選択した薄膜領域を緑色発光固体レーザ光に照射した。その結果,照射したPCBM単量体は低溶解性であり,光移動度の二量体状態に光化学的に変換された。その後,未照射及び単量体PCBM成分を選択に除去する定着液に浸漬することを経由して全体薄膜を開発した。最終結果は二量体PCBMが活性材料中で主成分であるので照射薄膜領域中のトランジスタはN型であり,一方,非照射薄膜領域中のトランジスタはP3HTが唯一の残留材料なのでP型であることである。CMOSの実現についてN型とP型トランジスタの生じた組合せによる方法の利点は高利得~35でもって反転することを示した。

シソーラス用語： 半導体集積回路 ,  *CMOS構造 ,  有機半導体 ,  *フラーレン ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  スピンコーティング ,  熱酸化 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  誘電体薄膜 ,  単量体 ,  二量化 ,  二量体 ,  単一層 ,  固体レーザ ,  *レーザ照射 ,  可溶性 ,  キャリア移動度 ,  定着液 ,  利得 ,  溶解性
準シソーラス用語： [6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル ,  CMOS回路 ,  P3HT ,  PCBM ,  ゲート酸化膜 ,  電流利得

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS回路 ,  作製