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J-GLOBAL ID：201002245755067658   整理番号：10A1135705

アモノサーマル法により得たm面GaN基板のエピレディネスを研究するための無接触電界反射の応用

Application of contactless electroreflectance to study the epi readiness of m-plane GaN substrates obtained by ammonothermal method

著者 (8件)： KUDRAWIEC R. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  KUCHARSKI R. (AMMONO sp. z.o.o., Czerwonego Krzyza 2/31, 00-377 Warsaw, POL) ,  RUDZINSKI M. (Inst. of Electronic Materials Technol., Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, POL) ,  ZAJAC M. (AMMONO sp. z.o.o., Czerwonego Krzyza 2/31, 00-377 Warsaw, POL) ,  MISIEWICZ J. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  STRUPINSKI W. (Inst. of Electronic Materials Technol., Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, POL) ,  DORADZINSKI R. (AMMONO sp. z.o.o., Czerwonego Krzyza 2/31, 00-377 Warsaw, POL) ,  DWILINSKI R. (AMMONO sp. z.o.o., Czerwonego Krzyza 2/31, 00-377 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 6  ページ： L18  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモノサーマル法により得たm面GaN基板のエピレディネスを研究するため,無接触電界反射(CER)分光を応用した。エネルギーギャップ遷移に関係したCER共鳴が,十分に研磨した表面をもつ試料に関して現れることを明確に観測した。この共鳴の鋭さは,表面品質に直接関係していた。エネルギーギャップ遷移の広がりをパラメータとして用いて,表面品質を定量化できた。光学的条件で研磨した試料に関して,この広がり(γ_pol)は,m面配向をもつへき開GaN表面(γ_clev)に関して観測された広がりに近かった(150~190対135)。研磨プロセスの品質を,γ_clev/γ_pol比を分析することにより評価できた。ここで,γ_clev/γ_pol=1は,優れた研磨プロセスに対応している。著者らの場合,この比は,十分に研磨された試料に関して1に近かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *基板 ,  *溶液成長 ,  *電界反射 ,  エネルギーギャップ ,  劈開【結晶】 ,  研磨 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： アモノサーマル法 ,  エネルギー遷移 ,  表面品質

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモノサーマル法 ,  GaN ,  研究 ,  電界反射 ,  応用