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J-GLOBAL ID：201002245893985595   整理番号：10A1100200

ガス供給系における金属表面の吸着水とその除去

Adsorbed Moisture on Metal Surface and its Removal for Gas Supply System

著者 (3件)： 石原良夫 (大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部) ,  大見忠弘 (東北大学未来科学技術共同研究センター) ,  川田幸司 ((株)フジキン大阪ハイテック研究開発センター)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 53  号： 9  ページ： 527-532 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス製造を正確に制御するには,ガス供給系の水分を低減する必要がある。本論文では,さまざまに表面仕上げしたステンレス鋼表面の吸着水平衡量とその吸着熱について議論し,大気圧イオン化質量分析計(APIMS)を用いて,吸着水の除去特性を調査した。電解研磨316Lステンレスでは,多層吸着水を室温で連続パージするだけで除去することができたが,回分パージによる吸着水量についても調査した。しかしながら,室温でパージしても,一定量の吸着水が表面に残留するので,ガス供給系のガス封止後のガス放出には,表面からの脱着がない高純度のガスを用いる必要がある。

シソーラス用語： *マイクロエレクトロニクス ,  ガス供給系 ,  *ステンレス鋼 ,  *吸着水 ,  吸着熱 ,  *質量分析 ,  電解研磨 ,  オーステナイト系ステンレス鋼 ,  高純度物質 ,  *残留ガス
準シソーラス用語： *大気圧イオン化質量分析 ,  316L

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (23件)：

• 1) Y. Ishihara: Ouyobutsuri, 68 (1999) 1275. [in Japanese]
• 2) T. Ohmi: Proc. 1986 SEMI Tech. Symp., 1986 (SEMI, Tokyo, 1986) p.A.1.1.
• 3) T. Ohmi, M. Nakamura, A. Ohki, K. Kawada and K. Hirao: J. Electrochem. Soc., 139 (1992) 2654.
• 4) Y. Ishihara, T. Ohmi, H. Hasegawa, T. Ikeda, T. Takasaki, S. Yamane and R. Fukushima: J. Electrochem Soc., 141 (1994) 246.
• 5) H. Hasegawa, T. Yamaoka, M. Hamano, Y. Ishihara and T. Satoh: Proc. 9th Intl. Symp. on Semicond. Manuf., Tokyo, 2000 (UCS, IEEE-EDS and SEMI, 2000) p. 379.

タイトルに関連する用語 (3件)： ガス供給系 ,  金属表面 ,  吸着水