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J-GLOBAL ID：201002246016473881   整理番号：10A1078786

コールドガススプレーによりパワーエレクトロニクス回路基板を製造する新しい方法と密着機構の研究

New method for producing power electronic circuit boards by cold-gas spraying and investigation of adhesion mechanisms

著者 (4件)： WIELAGE B. (Inst. of Materials Sci. and Engineering, Chemnitz Univ. of Technol., DEU) ,  GRUND T. (Inst. of Materials Sci. and Engineering, Chemnitz Univ. of Technol., DEU) ,  RUPPRECHT C. (Inst. of Materials Sci. and Engineering, Chemnitz Univ. of Technol., DEU) ,  KUEMMEL S. (Inst. of Materials Sci. and Engineering, Chemnitz Univ. of Technol., DEU)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 205  号： 4  ページ： 1115-1118  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクス回路又は集積コンポーネント用セラミック基板は通常コスト高な熱プロセスでメタライズされる。集積化パワーエレクトロニクスデバイスには簡易で,フレキシブルで安価な解決法への要望が高まっている。コールドガススプレー溶射(CGS)はこれらの要望に応えることが可能である。バルク材料に匹敵する性質を持ち,緻密で密着性が良好で,酸化物を含まないコーティングを製造する。パワーエレクトロニクスデバイス用非導電性部材のCGSメタライゼーションは半導体の直接的組み立てと接触を可能とする。初めに工業的に有用なAl₂O₃基板に密着層として作用するアルミニウムをCGSコーティングする。第二段階として,アルミニウム層を良好な電気的性質を示す銅でコーティングする。最小回路幅約250μmの導電性構造がセラミックス上にレーザー切断鋼テンプレートを用いて得られた。アルミナへのコールドガススプレーアルミニウムの密着機構を明らかにするため,コーティングした試料を走査型電子顕微鏡(SEM),走査透過型電子顕微鏡(STEM)及び電子後方散乱回折(EBSD)で微構造特性評価した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *基板 ,  回路 ,  *コールドスプレー ,  セラミック ,  アルミナ ,  *アルミニウム ,  *銅 ,  *多層膜 ,  密着性 ,  メタライゼーション ,  パターン形成
準シソーラス用語： *回路基板 ,  *セラミック基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーエレクトロニクス ,  回路基板 ,  密着 ,  研究