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J-GLOBAL ID：201002246051875593   整理番号：10A0826879

RFスパッタリングにより堆積したZnO:AlのInN低コスト技術への応用

Applications of ZnO:Al deposited by RF sputtering to InN low-cost technology

著者 (4件)： FERNANDEZ S. (Centro de Investigaciones Energeticas, Medioambientales y Tecnologicas (CIEMAT), Madrid, ESP) ,  NARANJO F. B. (Universidad de Alcala Campus Universitario, Madrid, ESP) ,  VALDUEZA-FELIP S. (Universidad de Alcala Campus Universitario, Madrid, ESP) ,  DE ABRIL O. (Universidad Politenica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 7  ページ： 1717-1721  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温InN技術のバッファ層および透明電極層としての低温ZnO:Al膜の応用を検討した。InN/ZnO:Alヘテロ構造を各種基板上にRFスパッタリングにより低温で作製した。ZnO:Alのバッファ層としての機能により,GaNテンプレートを使用した場合と同様の高品質InN層を成長させることができた。InNの透過率は650nm以上で約60%でらり,光学ギャップは1.79eVであった。InN/ZnO:Alの比接触抵抗は堆積後未処理の状態で2.0Ωcm²であった。ZnO:Al層はオプトエレクトロニクス応用のための透明Ohm電極および反射防止膜として有望である。

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *酸化亜鉛 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  *スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  低温 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  透過率 ,  光学定数 ,  光学ギャップ ,  バッファ層 ,  透明電極 ,  接触抵抗 ,  Ohm接触 ,  オプトエレクトロニクス

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタリング ,  堆積 ,  ZnO ,  Al ,  InN ,  応用