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J-GLOBAL ID：201002246052809195   整理番号：10A0204419

添加シリコンに対する改良型誘電機能モデルにより計算した近傍場放射

Near-Field Radiation Calculated With an Improved Dielectric Function Model for Doped Silicon

著者 (3件)： BASU S. (Georgia Inst. of Technol., GA) ,  LEE B. J. (Univ. Pittsburgh, PA) ,  ZHANG Z. M. (Georgia Inst. of Technol., GA)
資料名： Journal of Heat Transfer  (Journal of Heat Transfer)
巻： 132  号： 2  ページ： 023302.1-023302.7  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0658A  ISSN： 0022-1481  CODEN： JHTRAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2個の物体間の近傍場放射は特にnm程度の距離の場合に光子トンネリング及び波動干渉効果のために黒体放射の値を数桁程度も超過することが知られている。そこで真空空隙にて分離された添加シリコン表面の間の近傍場放射熱伝達に関する理論的考察を行った。高密度添加シリコンに対する改良型の誘電機能モデルを使用した。スペクトル及び全体的放射伝達に対する添加レベル,分極及び真空空隙の影響を変動性電気力学に基づいて調べた。シリコンの添加レベル増加は必ずしもエネルギー伝達を増加するとは限らない。レシーバの直径は横方向次元で表面が無限大と考えられるようにするには真空空隙の100倍程度にする必要があることを示した。本結果はナノ尺度の熱放射の設計に利用可能とする。

シソーラス用語： 添加 ,  ドーピング ,  *ケイ素 ,  最適化 ,  誘電体 ,  機能分析 ,  *近傍場 ,  *放射伝達 ,  真空 ,  間隙 ,  サイズ効果 ,  放射熱伝達 ,  解析モデル ,  密度 ,  電気力学 ,  固体素子 ,  温度測定
準シソーラス用語： 高密度

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  放射伝達,放射変調  (BD03080P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  機能モデル ,  計算 ,  近傍場 ,  放射