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J-GLOBAL ID：201002246122120505   整理番号：10A0835078

SOI-MEMS共振子の共振周波数の静電チューニングの検討

著者 (1件)： 室英夫 (千葉工大 工)
資料名： 千葉工業大学プロジェクト研究年報
巻： 7  ページ： 31-32  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： L3719B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 安価で製造工程が簡単なSOI-MEMS技術による共振子を対象とし,静電力を印加した時の共振周波数の変化をシミュレーションにより系統的に求めた。静電共振子の基本構造は,慣性質量を両側から2本ずつの梁で支持する構造で,平行平板電極と櫛歯電極の2種類の電極構造を検討した。平行平板電極構造を有するようなプロトタイプを設計し,外注試作を利用してサンプルを作成した。試作チップはセラミックパッケージに実装し,容量検出回路を用いて共振特性を測定した。共振周波数の測定結果は印加電圧の増加と共に2乗特性で減少し,ギャップ長2.5μm時のシミュレーション結果とほぼ一致した。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *MEMS ,  共振周波数 ,  マイクロマシニング ,  力 ,  *静電気 ,  *同調 ,  *共振器 ,  シミュレーション ,  セラミックパッケージ
準シソーラス用語： 静電力

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  MEMS ,  共振子 ,  共振周波数 ,  チューニング