文献

J-GLOBAL ID：201002246149346181   整理番号：10A1106652

ワイドバンドギャップ半導体Cu₂ZnSiS₄におけるバンド端近傍異方的光学遷移

Near band edge anisotropic optical transitions in wide band gap semiconductor Cu₂ZnSiS₄

著者 (7件)： LEVCENCO S. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  DUMCENCO D. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  HUANG Y. S. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  ARUSHANOV E. (Inst. of Applied Physics, Acad. of Sciences of Moldova, Chisinau, MD 2028, Moldova) ,  TEZLEVAN V. (Inst. of Applied Physics, Acad. of Sciences of Moldova, Chisinau, MD 2028, Moldova) ,  TIONG K. K. (Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean Univ., Keelung 202, Taiwan) ,  DU C. H. (Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 7  ページ： 073508  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,室温で偏光依存吸収法,ピエゾ反射率(PzR)法および表面光電圧(SPV)分光法を用いることにより化学的蒸気輸送で成長させたCu₂ZnSiS₄単結晶の異方的バンド端近傍遷移を特性評価した。[210]に沿った法線そして結晶小板の長い辺に平行なc軸をもつ成長した状態の基底面について測定を行なった。吸収およびSPVスペクトルの解析は,Cu₂ZnSiS₄の吸収端に対する間接許容遷移を明らかにした。E⊥cおよびE||c偏光配置に対して間接バンドギャップの推定値はそれぞれ2.97eVおよび3.07eVであった。Cu₂ZnSiS₄の直接バンドギャップ近傍での偏光依存PzRおよびSPVスペクトルは,E⊥cおよびE||c偏光に対して3,32eVおよび3.41eVでそれぞれ特徴E_⊥^exおよびE_||^exを明らかにした。二つの特徴E_⊥^exおよびE_||^exはΓ点でのバンド間励起子遷移に付随し,原子価帯の結晶場分裂により説明できる。実験観測に基づいて,E_⊥^exおよびE_||^exのバンド端近傍における妥当と思われるバンド構造を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *硫化物 ,  ケイ素化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *銅化合物 ,  *依存性 ,  *光吸収スペクトル ,  気相成長 ,  単結晶 ,  スペクトロスコピー ,  化学輸送 ,  異方性 ,  光反射 ,  圧電気 ,  光電効果
準シソーラス用語： *ワイドバンドギャップ半導体 ,  *偏光依存性 ,  表面光電圧分光法 ,  化学蒸気輸送反応 ,  ピエゾ反射

分類 (1件)： 半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  バンド端 ,  近傍 ,  光学遷移