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J-GLOBAL ID：201002246231287908   整理番号：10A1060729

SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンの構造特性と電気的性質: 成長,特性化,移動ドーピング,水素インターカレーションの解説

Structural and electronic properties of epitaxial graphene on SiC(0 0 0 1): a review of growth, characterization, transfer doping and hydrogen intercalation

著者 (3件)： RIEDL C (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  COLETTI C (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  STARKE U (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 37  ページ： 374009,1-17  発行年： 2010年09月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンの制御された成長と電子構造の操作について解説した。πバンド構造を監視することでグラフェン層の数を制御できる。エピタキシャルグラフェン層は真性nドープで,Fermi準位はDirac点から上側に偏移する。従って,グラフェン層を広く応用するためには,このFermi準位偏移を反転する必要がある。SrやBi堆積による移動ドーピングはnドーピングをある程度低減する。界面ボンディングの影響を水素インターカレーションにより完全に排除する方法を示した。

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  *グラファイト ,  *結晶成長 ,  *ドーピング ,  インターカレーション ,  電子構造 ,  単原子層 ,  Fermi準位 ,  バンド構造 ,  低速電子回折 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 ,  角度分解光電子分光法

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  構造特性 ,  電気的性質 ,  成長 ,  特性化 ,  ドーピング ,  水素 ,  インターカレーション