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J-GLOBAL ID：201002246407731389   整理番号：10A0875648

電気化学的グラフト化有機薄膜によるSi(111)面の不動態化

Passivation of Si(111) surfaces with electrochemically grafted thin organic films

著者 (7件)： ROODENKO K. (Leibniz - Inst. fuer Analytische Wissenschaften - ISAS - e.V., Dep. Berlin, Albert-Einstein-Strasse 9, 12489 Berlin, DEU) ,  ROODENKO K. (Current address: Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080) ,  YANG F. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. fuer Si-Photovoltaik, Kekulestrasse 5, 12489 ...) ,  HUNGER R. (Inst. of Material Sci., TU Darmstadt, Petersenstrasse 23, 64287 Darmstadt, DEU) ,  ESSER N. (Leibniz - Inst. fuer Analytische Wissenschaften - ISAS - e.V., Dep. Berlin, Albert-Einstein-Strasse 9, 12489 Berlin, DEU) ,  HINRICHS K. (Leibniz - Inst. fuer Analytische Wissenschaften - ISAS - e.V., Dep. Berlin, Albert-Einstein-Strasse 9, 12489 Berlin, DEU) ,  RAPPICH J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. fuer Si-Photovoltaik, Kekulestrasse 5, 12489 ...)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 19-20  ページ： 1623-1627  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニトロベンゼンと4-メトキシジフェニルアミンの極薄有機膜(約5nm厚)をベンゼンジアゾニウム化合物からp-Si(111)面に電気化学的に堆積した。原子間力顕微鏡,赤外分光エリプソメトリー,X線光電子分光法に基づいた研究は,大気条件に曝すと,シリコン界面の酸化が非修飾水素不動態化p-Si(111)面より有機修飾面でゆっくり進むことを示した。酸化有機/Si界面と有機層自体に及ぼすHF処理の影響を議論した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電気化学反応 ,  *有機材料 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  超薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  赤外分光法 ,  偏光解析法 ,  X線光電子分光法 ,  界面 ,  酸化 ,  水素 ,  化学修飾 ,  フッ化水素 ,  芳香族ニトロ化合物 ,  グラフト化【化学修飾】
準シソーラス用語： グラフト化 ,  分光エリプソメトリー ,  *有機薄膜

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  電極過程  (CB07040U)

物質索引 (3件)： 4-メトキシジフェニルアミン ,  ニトロベンゼン ,  ベンゼンジアゾニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  グラフト ,  有機薄膜 ,  Si ,  不動態化