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J-GLOBAL ID：201002246425077645   整理番号：10A0472230

化学溶液堆積により作製されたMnドープNaNbO₃-BaTiO₃無鉛圧電体薄膜

Lead-free piezoelectric thin films of Mn-doped NaNbO₃-BaTiO₃ fabricated by chemical solution deposition

著者 (5件)： SAKAMOTO Wataru (Div. of Nanomaterials Sci., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  HAMAZAKI Yu-ichi (Div. of Nanomaterials Sci., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  MAIWA Hiroshi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Shonan Inst. of Technol., 1-1-25 Tsujido-Nishikaigan, Fujisawa, Kanagawa ...) ,  MORIYA Makoto (Div. of Nanomaterials Sci., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  YOGO Toshinobu (Div. of Nanomaterials Sci., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 15  ページ： 4256-4260  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NaNbO₃-BaTiO₃無鉛圧電薄膜をPt/TiO_x/SiO₂/Si基板上に化学溶液堆積により作製した。改良された漏洩電流および強誘電特性をもつペロブスカイトNaNbO₃-BaTiO₃単一相薄膜が650°Cで少量のMnをドープすることにより作製された。1.0および3.0%のMnをドープした0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜はスリムな強誘電P-Eヒステレシスと電界誘起歪ループを室温で示した。1.0および3.0%のMnをドープした0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜は,残留分極値6.3および6.2μC/cm²,抗電場41および55kV/cmをそれぞれ持った。電界誘起歪ループの勾配から,実効圧電係数(d₃₃)は40ないし60pm/Vと見いだされた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マンガン ,  ドーピング ,  *ニオブ酸ナトリウム ,  *チタン酸バリウム ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  圧電体 ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *強誘電性 ,  残留分極 ,  白金 ,  MIM構造 ,  *漏れ電流 ,  抗電場 ,  *圧電気
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  無鉛材料

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学溶液堆積 ,  作製 ,  Mn ,  ドープ ,  BaTiO3 ,  圧電体薄膜