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J-GLOBAL ID：201002246470725070   整理番号：10A0387514

酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜トランジスタに基づく高速全透明集積回路

Fast All-Transparent Integrated Circuits Based on Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors

著者 (6件)： SURESH Arun (Intel Corp., OR, USA) ,  WELLENIUS Patrick (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BALIGA Vinay (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  LUO Haojun (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  LUNARDI Leda M. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  MUTH John F. (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 317-319  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス酸化物半導体(AOS)に基づく薄膜トランジスタ(TFTs)は,比較的高い移動度(10~40cm²/V・s)のため高電流密度が可能であり,電流駆動OLEDディスプレイの能動マトリクスバックプレーン用に適している。本稿では,透明ガラス基板上に製作した室温パルスレーザ蒸着(PLD)酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)ボトムゲートTFTsについて報告した。低温(200°C)原子層蒸着Al₂O₃をゲート絶縁膜として使った。このTFTの移動度は15cm²/V・sであった。また,ロジックインバータとリング発振器を製作し,特性評価した。その結果,電源電圧25Vで伝搬遅延は48ns/ステージ以下であった。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *非晶質半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  プリント基板 ,  レーザ蒸着 ,  ゲート【半導体】 ,  化学蒸着 ,  キャリア移動度 ,  透明導電膜 ,  発光ダイオード ,  有機半導体 ,  *ELディスプレイ ,  パルスレーザ蒸着 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： バックプレーン ,  ボトムゲート ,  OLED ,  原子層蒸着 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  酸化物半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  集積回路