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J-GLOBAL ID：201002246658772556   整理番号：10A0093793

高速低電力InAsナノワイヤ電界効果トランジスタのワイヤ径依存性能

Diameter dependent performance of high-speed, low-power InAs nanowire field-effect transistors

著者 (2件)： KHAYER M. Abul (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Riverside, California 92521-0204, USA) ,  LAKE Roger K. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Riverside, California 92521-0204, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 014502  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsナノワイヤ(NW)電界効果トランジスタ(FETs)のワイヤ径依存性能の計量を解析的な2バンドモデルおよび半古典的バリスティック輸送モデルを用いて研究した。量子容量限界(QCL)で動作するInAs NW FETsの電流,ゲート遅延時間,電力遅延積,そしてエネルギー遅延積の径依存の最初の解析を示した。低い電子の実効質量に由来するその小さな状態密度の故に,比較的大きな径(≦60nm)のInAs NW FETsがQCLにおいて動作する。エネルギー遅延積および電力遅延積の両方とも径が減少すれば減少する,そして最適なデザインは径が10~40nmの領域で得られる。ソースのFermi準位が0.1~0.2eVにあるすべてのデバイスで電力遅延積は2×10^-20から63×10^-20Jに変化した。単一モードデバイスのためのキーデバイス計量のために解析的表現を導き,数値結果と比較した。NW FETsは超低電力かつ高速を用意する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ ,  *直径 ,  バリスティック輸送 ,  ゲート回路 ,  *遅延特性 ,  消費電力 ,  高速度 ,  化合物半導体 ,  Fermi準位 ,  性能
準シソーラス用語： ゲート遅延 ,  *ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  高速 ,  低電力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  InAs ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  ワイヤ径