文献

J-GLOBAL ID：201002246659014280   整理番号：10A0780918

La_xTa_yデュアルドープHfON誘電体による金属酸化物半導体キャパシタの電荷トラップと電流導電機構

Charge trapping and current-conduction mechanisms of metal-oxide-semiconductor capacitors with La _x Ta _y dual-doped HfON dielectrics

著者 (5件)： CHENG Chin-lung (Inst. of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Formosa Univ., Huwei, Yunlin 63201, Taiwan, TWN) ,  HORNG Jeng-haur (Inst. of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Formosa Univ., Huwei, Yunlin 63201, Taiwan, TWN) ,  CHANG-LIAO Kuei-shu (Dep. of Engineering and System Sci., National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan, TWN) ,  JENG Jin-tsong (Dep. of Computer Sci. and Information Engineering, National Formosa Univ., Huwei, Yunlin 63201, Taiwan, TWN) ,  TSAI Hung-yang (Inst. of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Formosa Univ., Huwei, Yunlin 63201, Taiwan, TWN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 10  ページ： 1197-1203  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_xTa_yデュアルドープHfON誘電体による金属酸化物半導体(MOS)キャパシタにおける電荷トラップと関連電流導電機構を種々のポスト沈着アニーリング(PDA)のもとで調査した。この結果により,HfON誘電体へのLa_xTa_yのとりこみにより,電気的および信頼性特性を強化することを示した。その特性には,等価酸化膜厚(EOT),ストレス誘起リーク電流(SILC)およびトラップエネルギーレベルを含んでいる。ゲート誘電体バルクにおける大きな正電荷生成に関する機構は,La_xTa_yデュアルドープHfON誘電体に影響されることを示した。C-V測定の結果は,多くの負電荷が,La_xTa_yデュアルドープHfON誘電体のためにPDA温度の上昇により誘起されることを示した。種々の誘電体を通して電荷電流輸送機構を種々の温度にて電流-電圧(I-V)測定により解析した。低-,中-,および高電界におけるHfLaTaON誘電体の電流導電機構をSchottky放出(SE),Frenkel-Poole放出(F-P),およびFowler-Nordheim放出(F-N)によりそれぞれ示した。HfLaTaON誘電体におけるFrenkel-Poole伝導に含まれる低トラップエネルギーレベル(Φ_trap)を約0.142eVと推定した。HfLaTaON誘電体にて大量に生成された正電荷が得られたが,これらのHfLaTaON誘電体における正電荷のΦ_trapは,HfON誘電体と比較して浅かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *金属酸化物 ,  *コンデンサ ,  電荷 ,  捕獲 ,  導電性 ,  *誘電体 ,  膜厚 ,  焼なまし ,  信頼性 ,  漏れ電流 ,  Poole-Frenkel効果 ,  Fowler-Nordheimトンネリング
準シソーラス用語： EOT ,  アニーリング ,  キャパシタ ,  ストレス誘起リーク電流 ,  電荷トラップ ,  等価酸化膜厚

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： デュアル ,  ドープ ,  誘電体 ,  金属酸化物半導体 ,  キャパシタ ,  電荷トラップ