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J-GLOBAL ID：201002246716118799   整理番号：10A1318307

SrRuO3/IrO₂トップ電極をもち、エンベッデドメモリ130nm世代ないしそれ以降のプロセスであるCuBEOLによるFeRAM(誘電体メモリ)

A SrRuO3/IrO2 top electrode FeRAM with CuBEOL process for embedded memory of 130nm generation and beyond

著者 (16件)： KUMURA Y ,  OZAKI T ,  KANAYA H ,  HIDAKA O ,  SHIMOJO Y ,  SHUTO S ,  YAMADA Y ,  TOMIOKA K ,  YAMAKAWA K ,  YAMAZAKI S ,  TAKASHIMA D ,  MIYAKAWA T ,  SHIRATAKE S ,  OHTSUKI S ,  KUNISHIMA I ,  NITAYAMA A
資料名： PROCEEDINGS OF ESSDERC 2005: 35TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE
ページ： 557-560  発行年： 2005年 
JST資料番号： I20050827  ISBN： 0-7803-9203-5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： トップ ,  世代 ,  プロセス ,  FeRAM ,  誘電体