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J-GLOBAL ID：201002246769069080   整理番号：10A1127076

1,3μmの全光学ロジック用の薄い窒化物垂直キャビティゲート

Dilute nitride vertical-cavity gate for all-optical logic at 1.3μm

著者 (4件)： DE VALICOURT G. (Univ. Essex, Colchester, GBR) ,  PORZI C. (Scuola Superiore Sant’Anna, Pisa, ITA) ,  GUINA M. (Tampere Univ. Technol., Tampere, FIN) ,  BALKAN N. (Univ. Essex, Colchester, GBR)
資料名： IET Optoelectronics  (IET Optoelectronics)
巻： 4  号： 5  ページ： 201-209  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0058E  ISSN： 1751-8768  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体構造の非線形効果を探求する光学ゲートには小型化,低スイッチングエネルギー,価格優位性,熱安定化用の周辺回路の不必要性,などの利点がある。本稿では薄い窒化物量子井戸(QW)に基づく垂直キャビティ半導体構造ゲート(VCSG)の設計を検討し,全光学ロジックのゲート動作を評価するシミュレーションモデルを提案した。構造は障壁厚10nmの6層のGa_0.67In_0.33N_0.01As_0.99/GaAs QWであり,NとIn化合物は1.3μmで動作するように選択する。このモデルは異なる光学注入条件に対する動作バンド幅と変調深さ間のトレードオフを最適化するために有用である。代表的なInPベースの非線形ゲートと比較して製造の複雑性が低減し,設計制約を緩和する方向にある。

シソーラス用語： *光回路 ,  ゲート回路 ,  *非線形効果 ,  *窒化物 ,  量子井戸 ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： *光ゲート

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学 ,  ロジック ,  窒化物 ,  垂直 ,  キャビティ ,  ゲート