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J-GLOBAL ID：201002246776335772   整理番号：10A1054148

ミリ波帯域におけるV型パッチ素子を用いた狭壁面接続マイクロストリップ-導波管変換器

Narrow-Wall-Connected Microstrip-to-Waveguide Transition Using V-Shaped Patch Element in Millimeter-Wave Band

著者 (3件)： SEO Kazuyuki (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya-shi, JPN) ,  SAKAKIBARA Kunio (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya-shi, JPN) ,  KIKUMA Nobuyoshi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Communications (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Communications (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-B  号： 10  ページ： 2523-2530  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： L1369A  ISSN： 0916-8516  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波帯域におけるV型パッチ素子を用いた狭壁面接続マイクロストリップ-導波管変換器を提案した。狭壁面におけるマイクロストリップ線路は導波管のE面に垂直なため,導波管電界をマイクロストリップ線路に直接結合することはできない。V型パッチ素子における電流は傾斜面に沿って流れ,V型パッチ素子における電流はマイクロストリップ線路に効率的に結合した。3タイプの変換器を研究した。これら変換器の数値研究結果は,帯域幅および挿入損間におけるいくつかの相関を示した。改良型変換器が76~77GHzで0.6dBの挿入損と-15dB以下の反射係数において4.1%(3.15GHz)の帯域幅を示すことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ミリ波通信 ,  *壁面 ,  *マイクロストリップ線路 ,  *導波管部品 ,  *変換器 ,  電流 ,  結合器 ,  帯域幅 ,  挿入損 ,  反射率
準シソーラス用語： 高周波電流 ,  導波管要素 ,  反射係数

分類 (2件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N)

引用文献 (8件)：

• YANO, H. Y. Analysis and design of microstrip to waveguide transition. IEEE Trans. Microw. Thory Tech. 1994, 42, 12, 2371-2379
• KANEDA, N. A broadband microstrip-to-waveguide transition using quasi-Yagi antenna. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1999, 47, 12, 2562-2567
• DESLANDES, D. Integratede microstrip and rectangular waveguide in plannar form. IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 2001, 11, 2, 68-70
• HO, T. Q. Spectral-domain analysis of E-plane waveguide to microstrip transitions. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1989, 37, 2, 388-392
• LEONG, Y. Full band waveguide to microstrip probe transitions. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. Anaheim, CA, May 1999. 1999, 4, 1435-1438

タイトルに関連する用語 (6件)： ミリ波 ,  帯域 ,  パッチ ,  壁面 ,  マイクロストリップ ,  導波管変換器