プロセスパラメータ最適化:真空スパッタリングプロセスにおけるTiO<sub>2</sub>薄膜のための設計研究

HO Wen-Hsien; TSAI Jinn-Tsong; HSU Gong-Ming; CHOU Jyh-Horng

文献

J-GLOBAL ID：201002246846627300 整理番号：10A0610088

プロセスパラメータ最適化:真空スパッタリングプロセスにおけるTiO₂薄膜のための設計研究

Process Parameters Optimization: A Design Study for TiO₂ Thin Film of Vacuum Sputtering Process

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資料名：
巻： 7 号： 1 ページ： 143-146 発行年： 2010年01月
JST資料番号： W1406A ISSN： 1545-5955 CODEN： ITASC7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

地球環境における公害防止の技術およびプロセスへの関心が高まっている。Taguchi法では製品,プロセス,装置の改善を評価し実現するため統計的実験設計から多くのアイデアを得ている。本論文では,モデリングと最適化法の統合によるプロセスパラメータの設計手順につき報告した。本手順では,Taguchi法,ANN(人工的ニューラルネットワーク),真空スパッタリングプロセスにおけるTiO₂薄膜用最適プロセスパラメータを研究するためのGAを組み合わせた。TiO₂薄膜の品質性能を表現する実験データを収集するため,OA(直交アレイ)L₁₈を用いた。次に,逆伝搬アルゴリズムを用いたANNモデル訓練のための入力として19個の実験データを収集し,より良好なパラメータをGAにより探索した。TiO₂薄膜用実験のため,これらプロセスパラメータを用いた。その結果は極めて有望なものであり,産業で通常用いているTaguchi実験法の結果より良好となった。

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固体デバイス製造技術一般 , 塩基,金属酸化物

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プロセスパラメータ最適化:真空スパッタリングプロセスにおけるTiO2薄膜のための設計研究

プロセスパラメータ最適化:真空スパッタリングプロセスにおけるTiO₂薄膜のための設計研究