文献

J-GLOBAL ID：201002247171752572   整理番号：10A0710855

イオン照射により形成されるポリイミド膜の炭素構造

Carbon Structure in Polyimide Membrane Formed by Ion Irradiation

著者 (5件)： HUKUSHIMA Satoshi (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SODE Katsuya (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAZAKI Kota (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Yoshiaki (Inst. Physical and Chemical Res., Saitama, JPN) ,  KAWAKAMI Hiroyoshi (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 23  号： 4  ページ： 507-510  発行年： 2010年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2,2′-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)と2,2′-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)から調製したポリイミド(PIM)膜にイオン照射を行い,その際の炭素生成機構を追跡した。線源にはHe⁺とAr⁺を用いた。キャラクタリゼーションにはRaman分光法を用い,ポリエーテルスルホン(PES)膜とのスペクトル比較を行った。その結果照射PIM膜構造は選択的にグラファイト富化材料に変化しており,一方PES膜は優先的に無定形炭素富化材料に変化したことが判明した。このことから炭化PIMは,高電子デバイスを実現するための重要な材料となることを示唆した。

シソーラス用語： *6FDAポリイミド ,  *高分子膜 ,  イオン照射 ,  *炭化 ,  炭素 ,  キャラクタリゼーション ,  黒鉛組織 ,  *炭素材 ,  *ポリエーテルスルホン ,  表面改質

分類 (2件)： 放射線高分子化学  (CG03050S) ,  表面処理  (YH04112X)

物質索引 (2件)： 2,2-ビス(4-アミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン ,  6FDA

引用文献 (15件)：

• M. Winter and R. Brodd, Chem. Rev., 104(2004) 4245.
• D. Li, Y. Xia, Adv. Mater., 16(2004) 1151.
• S. Chan, J. Mater. Sci., 35(2000) 1303.
• J. Jang, K. J. Lee and G. Y. Kim, Chem. Commun., 30(2005) 3847.
• V. Svoricik, E. Arenholz, V. Rybka and V. Hnatowicz, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sci., Part B, 45(2007) 262.

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  ポリイミド膜 ,  炭素