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J-GLOBAL ID：201002247195065851   整理番号：10A1384948

光電子デバイスためにZnO被覆グラフェン層上に成長させた移動可能なGaN層

Transferable GaN Layeres Grown on ZnO-Coated Graphene Layers for Optoelectronic Devices

著者 (4件)： CHUNG Kunook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chul-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chul-Ho (Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Science  (Science)
巻： 330  号： 6004  ページ： 655-657  発行年： 2010年10月29日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質なエピタキシャルGaN層を成長させ,In_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸(MQW)構造の発光ダイオード(LED)を作製する方法を記述する。低温GaN緩衝層の典型的な使用でさえ膜の結晶度あるいは形態を改善させなかった。こうして,筆者らは酸素プラズマ処理したグラフェン層上に高密度の酸化亜鉛(ZnO)ナノ壁,すなわち,GaNを成長させるための中間相を成長させた。グラフェン層上の窒化物薄膜は室温で,誘導放出のような卓越した光学特性を示した。デバイス応用のための例の一つとして,室温証明下で強いエレクトロルミネセンスを放出するLEDを作製した。さらに,GaNベースのLEDを金属,ガラスそしてプラスチックのような異質の基板上に移動することが可能になった。

シソーラス用語： 単一層 ,  被覆 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  *多重量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  バッファ層 ,  プラズマ処理 ,  *中間相 ,  *エレクトロルミネセンス ,  グラフェン ,  *窒化インジウムガリウム

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電子デバイス ,  ZnO ,  グラフェン ,  成長 ,  GaN