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J-GLOBAL ID：201002247257375399   整理番号：10A0490980

高k/金属ゲートトランジスタへの応用としてプラズマ促進原子層蒸着を用いた低温酸化シリコンオフセットスペーサ

Low-Temperature Silicon Oxide Offset Spacer Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for High-k/Metal Gate Transistor

著者 (8件)： MURATA Tatsunori (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYAGAWA Yoshihiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  NISHIDA Yukio (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMAMOTO Yoshiki (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMASHITA Tomohiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUURA Masazumi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  ASAI Koyu (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYATAKE Hiroshi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DB11.1-04DB11.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k/金属ゲートスタックのオフセットスペーサ膜に用いるために,プラズマ促進原子層蒸着(PEALD)とプラズマ化学蒸着(PECVD)によって作製した酸化シリコン膜の特性を調べた。結合の構造解析結果より,PEALDで作製した酸化シリコン膜は,化学量論的酸化シリコンのSi-O結合ネットワークからなっていることが分かった。一方,PECVDで作製した酸化シリコン膜は,サブ酸素結合構造を含むと考えられる。物理的機械的評価を行った結果から,PECVDで作製した酸化シリコン膜よりも,PEALDで作製した膜は,低いウェットエッチング速度,高い膜密度,低い誘電率,少ない膜内の水分,および,高い弾性率を示した。また,PEALDでは,膜厚の制御が優れていた。これらの結果から,PECVDで作製するよりも,PEALDで作製した膜は質が高く,オフセットスペーサとしての応用により適しているということが明らかになった。X線光電子分光解析より,金属ゲート電極として用いるPEALD中の窒化チタン膜の表面酸化は,PEALDをより低温で行うことで,抑制することができることが分かった。高温蒸着で作製した酸化シリコンオフセットスペーサを持つトランジスタに比べて,PEALDで作製した酸化シリコンオフセットスペーサを持つ高k/金属ゲートトランジスタのドレイン電流は,著しく増大することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘電体 ,  *プラズマCVD ,  *酸化ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  化学蒸着 ,  加工速度 ,  X線光電子分光法 ,  電流 ,  *スペーサ
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  *プラズマ促進化学蒸着 ,  *酸化シリコン ,  注入促進型絶縁ゲートトランジスタ ,  原子層蒸着 ,  プラズマ化学蒸着 ,  エッチング速度 ,  X線光電子分光 ,  ドレイン電流

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (26件)：

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タイトルに関連する用語 (7件)： 金属ゲート ,  トランジスタ ,  応用 ,  プラズマ ,  促進 ,  原子層蒸着 ,  低温酸化