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J-GLOBAL ID：201002247301039989   整理番号：10A0609953

極めて薄い高誘電率ゲートスタックの誘電破壊後のMOSFETと回路機能の回復

Recovery of the MOSFET and Circuit Functionality After the Dielectric Breakdown of Ultrathin High-k Gate Stacks

著者 (6件)： CRESPO-YEPES A. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Barcelona, ESP) ,  MARTIN-MARTINEZ J. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Barcelona, ESP) ,  ROTHSCHILD A. (IMEC, Leuven, BEL) ,  RODRIGUEZ R. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Barcelona, ESP) ,  NAFRIA M. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Barcelona, ESP) ,  AYMERICH X. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Barcelona, ESP)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 6  ページ： 543-545  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極めて薄い高誘電率誘電体を有するトランジスタの誘電破壊後に,2つの伝導状態があることを示す。状態間の遷移の手順を議論し,トランジスタ特性と回路機能についての誘電破壊の可逆性を解析する。MOSFETは,適当なパラメータセットでBSIM4とD-Rモデルの組み合わせを使って,2つの誘電伝導状態を独立にモデル化でき,このモデルを回路シミュレータに入れ込んで,いろいろな論理ゲートの機能についての誘電破壊回復の効果を解析した。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  *絶縁破壊 ,  強誘電体 ,  移動 ,  シミュレータ ,  CMOS構造 ,  *回路モデル
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  回路シミュレータ ,  状態遷移 ,  論理ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高誘電率 ,  ゲートスタック ,  誘電破壊 ,  MOSFET ,  回復