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J-GLOBAL ID：201002247319283895   整理番号：10A0322096

Au-ZnMgO Schottkyフォトダイオードの高応答性と内部利得機構

High responsivity and internal gain mechanisms in Au-ZnMgO Schottky photodiodes

著者 (8件)： TABARES G. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  HIERRO A. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  ULLOA J. M. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  GUZMAN A. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  MUNOZ E. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  NAKAMURA A. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  HAYASHI T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  TEMMYO J. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 101112  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au-ZnMgO/サファイアに基づくSchottkyフォトダイオードを実証した。この素子は3.35~3.48eVを網羅し,UV/VIS排除比は約10⁵,応答性は185A/Wと高い。排除比と応答性は内部利得機構により大きく増大し,その結果,補償した膜は照射により高伝導性になる。これはSchottky障壁を通過するトンネル電流を大幅に増加させ,入射光子束の関数である内部利得を誘起する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *応答特性 ,  亜鉛化合物 ,  マンガン化合物 ,  酸化物 ,  導電性 ,  電流 ,  利得 ,  金
準シソーラス用語： 応答性 ,  トンネル電流 ,  内部利得

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  フォトダイオード ,  応答性 ,  利得