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J-GLOBAL ID：201002247338579223   整理番号：10A0054524

有機薄膜トランジスタの素子性能に及ぼす半導体厚みの影響の二次元シミュレーション法による理解

Understanding the effect of semiconductor thickness on device characteristics in organic thin film transistors by way of two-dimensional simulations

著者 (3件)： GUPTA Dipti (Dep. of Materials and Metallurgical Engineering, Indian Inst. of Technol., Kanpur 208016, IND) ,  GUPTA Dipti (School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul National Univ., San 56-1 Shillim-Dong, Kwanakgu, Seoul ...) ,  HONG Yongtaek (School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul National Univ., San 56-1 Shillim-Dong, Kwanakgu, Seoul ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 1  ページ： 127-136  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ(OTFT)特性の半導体(ペンタセン)厚みへの依存性を二次元ドリフト拡散シミュレーションの方法により研究した。測定した上部接触素子から抽出した電界効果移動度はペンタセンの厚み変化10から100nmで変化した。理想的OTFTの素子シミュレーションは予想通り半導体厚みへの依存性を示さない。従って実験で観測される素子特性をモデル化するためシミュレーションにペンタセン-絶縁体界面およびバルクの電荷輸送に関係する物理挙動を系統的に導入した。これらの効果は誘電体に隣接する低移動度層,バルクペンタセンに比べて同じ層の絶縁体への閉じ込めを導入するエネルギー準位シフト,およびペンタセン膜の所定厚み(~35nm)以上でのバルクドナートラップの挿入によりシミュレートした。最後にシミュレートと実験の素子特性のペンタセン厚みの関数としての関係の確証を得た。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *膜厚 ,  ドリフト移動度 ,  拡散 ,  計算機シミュレーション ,  *キャリア移動度 ,  絶縁材料 ,  界面 ,  電荷移動 ,  閉込め ,  エネルギー準位 ,  ドナー ,  捕獲中心 ,  ポリアセン ,  絶縁体

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  厚み ,  シミュレーション法 ,  理解