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J-GLOBAL ID:201002247360192758   整理番号:10A0127890

触媒生成励起水を用いて化学気相蒸着した高電子移動度ZnOエピ層の作製

Fabrication of high-electron-mobility ZnO epilayers by chemical vapor deposition using catalytically produced excited water
著者 (4件):
資料名:
巻: 312  号:ページ: 483-486  発行年: 2010年02月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄いZnO膜を作成するために,Pt分散ZnO2触媒上でのO2とのH2の発熱反応による高温H2Oジェットを用いてジメチル亜鉛の気相加水分解を行った。X線回折パターンと光ルミネセンススペクトルは,873Kでサファイア基板上に直接成長させたZnOエピ層が単結晶に近い欠陥のない結晶構造を有することを示した。成長直後のZnOエピ層は,可視及び赤外域(400~2000nm)において90%を越える平均透過率を示した。このエピ層は,従来型化学気相蒸着や,パルスレーザ蒸着や分子ビームエピタクシーなどのようなエネルギー消費型の物理的手法によって今まで報じられているZnO膜に比しても格段に優れた,140~170cm2V-1s-1の高い電子移動度と,1.7~6×1017cm-3の低い残留電子濃度を有していた。本方法ではH2とO2のみからの化学エネルギーを用いているが,これは省エネルギーでかつエコにも優しい一方で,高品質ZnO作成において優れている。またこの方法が,様々な揮発性アルキル金属に適用可能なため,広汎な高品質金属酸化物エピ層の作製にも無限の可能性を秘めていることも指摘する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  光物性一般 

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