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J-GLOBAL ID:201002247397722250   整理番号:10A0625978

ボトム-コンタクト電界効果トランジスタで応用されるベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン系共重合体

Benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-based copolymers applied in bottom-contact field-effect transistors
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巻: 51  号: 14  ページ: 3099-3107  発行年: 2010年06月24日 
JST資料番号: D0472B  ISSN: 0032-3861  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェンと3,3′-ビス(アルキル)-5,5′-ビチオフェン(ドデシル,テトラデシル及びヘキサデシル側鎖)の三種類の共重合体を,Stille共重合により合成した。これらの重合体は,20kg/mol以上の数平均分子量を持ち,バルク状態及び薄膜で良く充填されており,そして薄膜は-5.1eVのイオン化電位を有しており,環境条件での酸化に対する安定性を有していた。ドデシル側鎖を持つポリマーの薄膜パッキングは,励起に際してエキシマ発光につながった。これはより長い側鎖長のものでは観察されなかった。その上,このエキシマ生成の原因となる二量体の存在によりデバイス性能の改善もなされた。これらの共重合体から製造された電界効果トランジスタは,ボトム-コンタクトデバイスにおいて,On/Off比率>107,10-2 cm2/Vs以上での等しい飽和及び線形正孔移動度,ほとんど無ヒステリシス及び約0Vのターン-オン電圧を持っていた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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共重合  ,  高分子固体の物理的性質 
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