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J-GLOBAL ID：201002247550249705   整理番号：10A0855986

(CdZn)Se複合材料薄膜に対するインジウムドープの影響

Effect of indium doping on (CdZn)Se composite thin films

著者 (3件)： CHATE P.a. (Dep. of Chemistry, J.S.M. Coll., J.S.M. Road, Alibag, M.S. 402 201, IND) ,  HANKARE P.p. (Solid State Res. Lab., Dept. of Chemistry, Shivaji Univ., Kolhapur, M.S., IND) ,  SATHE D.j. (Dept. of Chemistry, KIT’s Engineering Coll., Kolhapur, M.S., IND)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 505  号： 1  ページ： 259-263  発行年： 2010年08月27日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の組成(0~1.0mol%In)のCd_0.9Zn_0.1Se:In薄膜を化学浴析出法で非導電性ガラス基板上に成長させた。ドーピングの影響を研究した。皮膜の色はインジウム濃度が濃くなるにつれて暗くなった。X線回折,光学吸収,電気と熱電法を用いて皮膜を観察した。X線回折研究から結晶は全組成領域において単一立方晶相であることがわかる。吸収スペクトル分析から直接型バンドギャップを持ち,その大きさは皮膜中のインジウム含有量の増加と共に非直線的に変化することがわかった。電気伝導度は0.1mol%迄増加する。0.1mol%迄は結晶度,結晶粒径,電気伝導度は向上してバンドギャップは低下する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *カドミウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  ドーピング ,  *インジウム ,  *薄膜 ,  析出 ,  立方晶系 ,  吸収スペクトル ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  結晶度 ,  結晶粒径

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Se ,  複合材料 ,  薄膜 ,  インジウム ,  ドープ