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J-GLOBAL ID：201002247558734289   整理番号：10A1165674

ナノサイズの金属内包物を含む半導体における電子の相乗散乱に起因する巨大散乱パラメータと熱起電力の増大

Giant scattering parameter and enhanced thermoelectric properties originating from synergetic scattering of electrons in semiconductors with metal nanoinclusions

著者 (2件)： YANG X. H. (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, 230031 Hefei, CHN) ,  QIN X. Y. (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, 230031 Hefei, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 19  ページ： 192101  発行年： 2010年11月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノサイズの金属内包物を含む半導体における電子の散乱プロセスを緩和時間近似の枠内で理論的に研究した。散乱確率の計算には摂動理論を用い,解析的に求めた。得られた結果から,ナノサイズの内包物によって誘起される界面ポテンシャル障壁における電子散乱は単一散乱ではなくて,巨大散乱パラメータλ(=3.3~4.7)を生み出すイオン化不純物と界面ポテンシャル障壁,あるいは井戸による相乗散乱であることが分かった。巨大なλと増大した熱起電力によって,ナノサイズのPb内包物を含むPbTeの800Kにおける性能指数ZTは3.4であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *介在物 ,  ナノ構造 ,  金属 ,  長さ ,  相乗作用 ,  キャリア散乱 ,  *熱起電力 ,  S行列 ,  緩和時間 ,  摂動論 ,  ポテンシャル障壁 ,  不純物 ,  *テルル化鉛 ,  鉛 ,  性能指数 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ナノサイズ ,  散乱パラメータ ,  イオン化不純物

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノサイズ ,  内包 ,  電子 ,  散乱 ,  起因 ,  散乱パラメータ ,  熱起電力