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J-GLOBAL ID：201002247571314590   整理番号：10A0500975

組み合わせ系金属ゲート電極のTa-C-Nライブラリー薄膜に関する物理的および化学的特性評価

Physical and chemical characterization of combinatorial metal gate electrode Ta-C-N library film

著者 (8件)： CHANG K.-s. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  GREEN M. L. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  LEVIN I. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  HATTRICK-SIMPERS J. R. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  JAYE C. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  FISCHER D. A. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  TAKEUCHI I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  DE GENDT S. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium and Dep. of Chemistry, KU Leuven, 3000 Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 19  ページ： 192114  発行年： 2010年05月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta-C-N/HfO₂から成る組み合わせ系に関する相補的な構造および化学的解析結果に基づくTa-C-N/HfO₂の電気的特性を理解するために重要なデータについて報告する。様々な組成からなる組み合わせ的なTa-C-N化合物(ライブラリー)薄膜を,マグネトロンスパッタリング法によって堆積した。これらの薄膜の組成を定量的に決定するために,電子プローブ・波長分散型分光法および蛍光X線吸収端分光法を用いた。走査型X線マイクロ回折測定から,Ta(C,N)_xの固溶体の組成は,0.3≦Ta≦0.5および0.57≦Ta≦0.67の範囲にまで拡がることが確認されて。これらの組成を持つ試料はこれまで知られていない。高分解能の透過型電子顕微鏡を用いて,Ta-C-N/HfO₂ライブラリーの熱安定性を研究し,Ta-C-N/HfO₂/SiO₂/Siは950°Cまで優れた熱安定性を有することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： タンタル合金 ,  炭素含有合金 ,  窒素含有合金 ,  マグネトロンスパッタリング ,  反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  *MOS構造 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  熱安定性 ,  電子エネルギー損失スペクトル ,  電子プローブX線分析 ,  蛍光X線分析 ,  X線回折
準シソーラス用語： 高分解能透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 組み合わせ ,  金属ゲート ,  ライブラリー ,  薄膜 ,  物理 ,  化学的特性 ,  評価