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J-GLOBAL ID：201002247786039434   整理番号：10A0978298

CDM型超高速伝送線路パルス下におけるポリシリコン境界ダイオードの過渡挙動と不良機構の特性評価

Characterization of Transient Behavior and Failure Mechanism of Polysilicon-Bound Diode under CDM-like Very-fast Transmission Line Pulsing

著者 (3件)： LI You (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  LIOU Juin J. (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  LIU Wen (Univ. Central Florida, Florida, USA)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 197-201  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Barth4012超高速伝送線路パルス(VFTLP)テスターから発生したパルスを用いて,荷電素子モデル(CDM)型高速静電放電(ESD)現象下のN⁺/P井戸ポリシリコン境界ダイオードの過渡特性と不良機構について調べた。0.6μm BiCMOSプロセスにより,そのダイオードを作製した。特に,過渡波形から抽出した2静電放電(ESD)性能指数,即ちオーバシュート電圧とターンオン時間へのポリシリコン境界ダイオードの寸法パラメータの効果について調べ,検討した。ポリゲート長が,そのダイオードの高速過渡挙動の影響に最も支配的役割をすることがわかった。特に,短ゲート長が小オーバシュート電圧と短ターンオン時間を生じるため,そのダイオードは,高速ESD応用用に適していることを示した。また,高速過渡ストレス下のポリ境界ダイオード不良とポリゲート構成間の相関関係を求めた。その結果,ゲート浮遊型構成と比較的短ゲート長をもつダイオードは,CDM型高速ESD現象により生じる損傷を受けることがより少ないことを示した。

シソーラス用語： *伝送線路 ,  *ポリシリコン ,  電流電圧特性 ,  過渡解析 ,  *静電気 ,  放電 ,  *帯電 ,  *ダイオード ,  高速度 ,  パルス特性 ,  オーバシュート ,  *故障解析

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  伝送線  (NC04030C)

タイトルに関連する用語 (9件)： CDM ,  超高速 ,  伝送線路 ,  パルス ,  ポリシリコン ,  境界 ,  ダイオード ,  過渡挙動 ,  特性評価