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J-GLOBAL ID：201002247944164225   整理番号：10A1032141

先進的無線周波数応用のための異なるアイソレーション設計によるテラヘルツSchottky障壁ダイオード

Terahertz Schottky barrier diodes with various isolation designs for advanced radio frequency applications

著者 (6件)： CHEN S.-m. ,  FANG Y.-k. ,  JUANG F.r. ,  YEH W.-k. ,  CHAO C.-p. ,  TSENG H.-c.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 1  ページ： 471-474  発行年： 2010年10月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリSiゲート(PSG)とレジスト保護酸化物(RPO)を含む,異なるアイソレーション設計の高性能ナノメートルNiSi₂-Si Schottky障壁ダイオードアレイ(SBDA)を先進的無線周波数応用のために開発した。開発したこれらのSBDAの無線周波数性能を研究し,従来の浅いトレンチアイソレーションのものと比較した。すべてのSBDAは現状の45nm相補型金属酸化物半導体技術ファウンドリーで製作された。PSG絶縁とRPO絶縁のSBDAの両方がより高いカットオフ周波数とより簡単な作製プロセスを有している。特に,PSG絶縁SBDAは4.6THzまでのカットオフ周波数を達成できた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *ポリシリコン ,  ゲート【半導体】 ,  *アイソレーション【IC】 ,  トレンチカット【加工】 ,  半導体プロセス ,  *遮断周波数 ,  電磁波 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  固体素子 ,  検出器 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 無線周波数 ,  45nmプロセス ,  ケイ化ニッケル ,  ナノデバイス ,  テラヘルツ波検出器

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  変復調回路  (NC05050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 無線周波数 ,  応用 ,  アイソレーション ,  設計 ,  テラヘルツ ,  Schottky障壁ダイオード