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J-GLOBAL ID：201002248058360869   整理番号：10A0235657

角錐形をパターン化したサファイア基板上での高電力InGaN系発光ダイオードチップの作成

Fabrication of High-Power InGaN-Based Light-Emitting Diode Chips on Pyramidally Patterned Sapphire Substrate

著者 (6件)： CHEN Yi-Ju (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  KUO Cheng-Huang (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  TUN Chun-Ju (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  HSU Shih-Chieh (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHENG Yuh-Jen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIU Cheng-Yi (National Central Univ., Taoyuan, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 020201.1-020201.3  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マスクを使わないエッチングプロセスによりc面サファイア基板上に角錐パターンを生成した。光ルミネセンス(PL)の結果は,この角錐形にパターン化したサファイア基板上に成長させたGaN系発光ダイオード(LED)エピ層は,標準的な平坦なc面サファイア基板上に成長させたものより高いエピタキシャル品質になることを示した。入力電流が350mAのとき,角錐形をパターン化したサファイア基板上でのLEDチップの平均光出力パワーは,標準的な平坦なc面サファイア基板上に成長させたLEDチップのものより37%高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  *光ルミネセンス ,  エッチング ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  サファイア ,  基板 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (18件)：

• M. Koike, N. Shibata, H. Kato, and Y. Takahashi: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.8(2002)271.
• S. H. Lydecker, K. F. Leadford, and C. A. Ooyen: Proc. SPIE 5187(2004)22.
• LEDs Magazine (21 Dec.2006)[http://ledsmagazine.com/news/3/12119/1].
• Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, K. Deguchi, T. Yamada, and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006) L1084.
• Y. J. Lee, H. C. Kuo, T. C. Lu, B. J. Su, and S. C. Wang: J. Electrochem. Soc.153(2006) G1106.

タイトルに関連する用語 (6件)： 角錐形 ,  パターン化 ,  サファイア基板 ,  高電力 ,  InGaN ,  発光ダイオードチップ