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J-GLOBAL ID：201002248190225423   整理番号：10A0537237

合焦されたイオンビームによる直接書き込みを用いたナノ・フォトマスク製作

Nano-photomask fabrication using focused ion beam direct writing

著者 (8件)： FANG F.z. (State Key Lab. of Precision Measuring Technol. & Instruments, Centre of MicroNano Manufacturing Technol., Tianjin ...) ,  FANG F.z. (Tianjin MicroNano Manufacturing Tech. Co., Ltd., CHN) ,  XU Z.w. (State Key Lab. of Precision Measuring Technol. & Instruments, Centre of MicroNano Manufacturing Technol., Tianjin ...) ,  XU Z.w. (Tianjin MicroNano Manufacturing Tech. Co., Ltd., CHN) ,  HU X.t. (State Key Lab. of Precision Measuring Technol. & Instruments, Centre of MicroNano Manufacturing Technol., Tianjin ...) ,  WANG C.t. (State Key Lab. of Optical Technologies for Microfabrication, Inst. of Optics and Electronics, Chinese Acad. of ...) ,  LUO X.g. (State Key Lab. of Optical Technologies for Microfabrication, Inst. of Optics and Electronics, Chinese Acad. of ...) ,  FU Y.q. (School of Physical Electronics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN)
資料名： CIRP Annals. Manufacturing Technology  (CIRP Annals. Manufacturing Technology)
巻： 59  号： 1  ページ： 543-546  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0026A  ISSN： 0007-8506  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 設計されたビットマップのコントラストに関係してイオンビーム位置における夫々のピクセルの滞留時間を正規化する,収束イオンビーム直接描画(FIBDW)を用いた新規なナノ・フォトマスク製作を提案した。作製プロセスを開発すべく除去メカニズムを検討した。ナノスケールフィーチャ達成のための最も有効なパラメータは下記(ビーム滞留時間,収差,オーバーラップ)なことを確認した。ビーム非点収差の矯正とその検証と合わせて,ドットアレイ切削のためのアプローチを提案した。本検討では,この新手法の成功裏の適用のため,線巾32nmのフォトマスクを採用した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： イオンビーム加工 ,  *フォトマスク ,  フォトリソグラフィー ,  *回路パターン形成 ,  フォトレジスト ,  *ナノメータ加工 ,  データ書込

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 合焦 ,  イオンビーム ,  書き込み ,  フォトマスク ,  製作