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J-GLOBAL ID：201002248312048285   整理番号：10A0503319

ナノ薄膜半導体ガスセンサの共吸着過程,速度論および量子力学的モデリング

Co-adsorption processes, kinetics and quantum mechanical modelling of nanofilm semiconductor gas sensors

著者 (7件)： VELASCO-VELEZ Juan-Jesus (Johannes-Gutenberg Univ., Mainz, DEU) ,  VELASCO-VELEZ Juan-Jesus (Ruhr-Univ., Bochum, DEU) ,  VELASCO-VELEZ Juan-Jesus (Adlantis GmbH, Dortmund, DEU) ,  KUNZE Ulrich (Ruhr-Univ., Bochum, DEU) ,  HAAS Thomas (Adlantis GmbH, Dortmund, DEU) ,  DOLL Theodor (Johannes-Gutenberg Univ., Mainz, DEU) ,  DOLL Theodor (Adlantis GmbH, Dortmund, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 4  ページ： 924-929  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存の理論を拡張し,半導体表面へのガスの共吸着を量子力学的に説明した。誘起された電場はナノ薄膜のために表面に達し,Fermi準位を変化させると想定した。このモデルは,ガス種間の直接の相互作用はないという仮定のもとで,O₂,NO₂およびCOを用いた測定に対し適合した。しかしながら,吸着の順番は重要であって,1つのガス種の吸着で他の吸着サイトが開き,そこが他の衝突分子により満たされることがわかった。占有確率にもとづくモデルにより反応時間を評価し,実験値と一致することを確認した。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  *ガスセンサ ,  共吸着 ,  速度論 ,  量子論 ,  *モデリング ,  Fermi準位 ,  酸素 ,  二酸化窒素 ,  一酸化炭素 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *ナノ薄膜 ,  量子力学

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜半導体 ,  ガスセンサ ,  吸着過程 ,  速度論 ,  量子 ,  力学的モデリング