文献

J-GLOBAL ID：201002248667801316   整理番号：10A1095099

青-緑発光素子用のInGaN多重量子井戸の井戸幅研究

Well width study of InGaN multiple quantum wells for blue-green emitter

著者 (11件)： HOFFMANN V. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  NETZEL C. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  ZEIMER U. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  KNAUER A. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  EINFELDT S. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  BERTRAM F. (Inst. fuer Experimentalphysik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  CHRISTEN J. (Inst. fuer Experimentalphysik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU) ,  WEYERS M. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  TRAENKLE G. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  KNEISSL M. (Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  KNEISSL M. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 23  ページ： 3428-3433  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青/緑の波長領域の発光を示すInGaN/GaN多重量子井戸構造を,有機金属気相成長法によって成長させた。量子井戸の成長時間を短縮することによって,成長方向における量子井戸中のインジウムの分布とインジウムの混入におよぼす量子井戸の厚さ(3.8~1.1nm)の影響を研究した。量子井戸の幅を狭くすると,障壁/井戸界面におけるインジウムの混入の遅れに起因して,量子井戸中の平均インジウムモル分率が減少することを,X線回折測定によって示した。定量的解析を行い,成長方向における傾斜領域の長さとして,約2nmの偏析長さを示した。量子井戸の厚さを薄くすると,1.7nmにまでは波長の空間的変動が減少することを,陰極線ルミネセンス画像によって示した。量子井戸の幅をさらに狭くすると,空間的波長変動が増大する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  多重量子井戸 ,  MOCVD ,  *エピタクシー ,  時間依存性 ,  偏析 ,  陰極線ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  量子サイズ効果 ,  X線回折 ,  ガリウム化合物
準シソーラス用語： MOVPE ,  *窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 青 ,  緑 ,  発光素子 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  井戸 ,  研究