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J-GLOBAL ID：201002248845560522   整理番号：10A1252022

プロセッシング制御によりパルスレーザー蒸着したCuIn_0.7Ga_0.3Se₂薄膜の増強した電気特性

Enhanced electrical properties of pulsed laser-deposited CuIn_0.7Ga_0.3Se₂ thin films via processing control

著者 (3件)： JO Yeon Hwa (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  MOHANTY Bhaskar Chandra (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  CHO Yong Soo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 84  号： 12  ページ： 2213-2218  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶CuIn_0.7Ga_0.3Se₂の薄膜をソーダライムガラスの基板上に,レーザーエネルギーや繰り返し率,基板温度などの種々のパラメータを変えた,パルスレーザー蒸着(PLD)により,用意した。室温で純粋な相のCIGS薄膜を得るにはレーザーエネルギーに制限があること,すなわち300mJ以下,を確認した。特に,室温においても,膜には別な結晶CIGS相が観察された。膜の結晶性は,FWHMが0.65度から0.54度に減ることが示すように,基板温度が増すと改善した。基板温度により,少しだけCuの多いCu_2-xSe相を持った表面が存在することをラマンスペクトルにより確認した。最適化したCIGS膜の高い基板温度での,改善した電気特性,すなわち,キャリア濃度~10¹⁸cm^-3,抵抗率10^-1Ωcm,は高度に結晶化した薄膜,Cu_2-xSe相の存在,基板から薄膜へのNaの拡散の潜在的寄与の結果であると考えられる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  銅化合物 ,  太陽電池 ,  *薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  *セレン化銅 ,  FWHM ,  結晶化 ,  *基板温度 ,  電気抵抗率 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *CIGS ,  CIGS太陽電池 ,  *パルスレーザー堆積

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： プロセッシング ,  パルスレーザー蒸着 ,  薄膜 ,  増強 ,  電気特性