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J-GLOBAL ID：201002249120795440   整理番号：10A0780917

垂直MOSFETによる高効率,低電力およびコンパクト電荷ポンプ

A high efficient, low power, and compact charge pump by vertical MOSFETs

著者 (2件)： SAKUI Koji (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., JST-CREST, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., JST-CREST, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 10  ページ： 1192-1196  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,垂直MOSFETに対するバックバイアス効果の利点を利用して,電荷ポンプに対する影響を試験した。シミュレーションにより,垂直MOSFETで構成した電荷ポンプ回路が,電荷ポンプ面積をシュリンクし,プラナMOSFETで構成した従来の電荷ポンプ回路と比較して,90%以上の電力消費を低減した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  励起 ,  電力消費 ,  バイアス ,  効率 ,  消費電力 ,  *コンパクト性 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 高効率 ,  低電力 ,  *電荷ポンプ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  MOSFET ,  高効率 ,  低電力 ,  コンパクト ,  電荷ポンプ