高誘電率X8R BaTiO<sub>3</sub>ベースセラミックの誘電特性に与えるPb(Ti,Sn)O<sub>3</sub>の効果

WANG Shuang; SU Hao; CHEN Liying; YUAN Haiyi

文献

J-GLOBAL ID：201002249124223041 整理番号：10A1617777

高誘電率X8R BaTiO₃ベースセラミックの誘電特性に与えるPb(Ti,Sn)O₃の効果

Effect of Pb(Ti,Sn)O₃ on the dielectric properties of high dielectric constant X8R BaTiO₃-based ceramics

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資料名：
巻： 21 号： 11 ページ： 1159-1163 発行年： 2010年11月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

自動車のような過酷環境で使われる多層セラミックキャパシタはX8R規格を満たす必要がある。BaTiO₃セラミックに2.5mol%のPb(Ti,Sn)O₃(PTS)添加物をドーピングして1240°Cで焼結し,25°Cの誘電率が3400以上,誘電損2.0%以下,キャパシタンス温度係数(TCC)が-55~150°Cで±15%以下のX8R規格を満たす誘電材料を作った。Pb(Ti,Sn)O₃を添加するとPb(Ti,Sn)O₃とBaTiO₃の間に部分固溶体が形成される。PTSのキュリー点が高いのでセラミックのキュリー点はより高温の150°Cへシフトする。PTS含有量が3mol%までTi⁴⁺分極の欠乏と正方晶の減少によって誘電率が減少する。

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固体デバイス材料

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高誘電率X8R BaTiO3ベースセラミックの誘電特性に与えるPb(Ti,Sn)O3の効果

高誘電率X8R BaTiO₃ベースセラミックの誘電特性に与えるPb(Ti,Sn)O₃の効果