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J-GLOBAL ID：201002249177341305   整理番号：10A0966458

電界放出デバイス作製のための3次元の複雑な炭素ナノニードル電子エミッタの成長

Growth of a three-dimensional complex carbon nanoneedle electron emitter for fabrication of field emission device

著者 (4件)： WANG Hong-xing (Dialight Japan Co., Ltd., 2-6-25 Koda, Ikeda, Osaka 563-0043, JPN) ,  JIANG Nan (Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kochi, JPN) ,  ZHANG Hui (Xi’an Jiaotong Univ., No. 28, West Xianning Road, Xi’an, CHN) ,  HIRAKI Akio (Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kochi, JPN)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 48  号： 15  ページ： 4483-4488  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直流プラズマ化学蒸着システムによって,低い電界で高い放出電流密度を持つ3次元の複雑な炭素ナノニードル電子エミッタ膜を開発した。ダイヤモンドとモリブデンの混合粉末で前処理したステンレスのワイヤ基板に成長した試料は,新規な膜形態を示した。この膜から取った走査電子顕微鏡イメージは,中心が炭素ナノニードルであり,多数の小さい炭素ナノウォールがニードルから成長する3次元の複雑なナノ構造エミッタを示唆した。特異なナノ構造エミッタの密度は約5×10⁷/cm²であった。I-V特性は,2.2V/μmの電場で251mA/cm²の放出電流密度を記述し,電界放出電流は安定していて,電界放出デバイスの開発に適することを明らかにした。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  製膜 ,  形態 ,  針状晶 ,  壁 ,  立体構造 ,  気相成長 ,  *プラズマCVD ,  電界放出 ,  *電界放出アレイ ,  ダイヤモンド ,  モリブデン ,  ナノ粒子 ,  前処理 ,  電子顕微鏡観察

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界放出 ,  作製 ,  3次元 ,  炭素 ,  ナノニードル ,  電子エミッタ ,  成長