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J-GLOBAL ID：201002249245237554   整理番号：10A0134469

45nm CMOSを用いた300mV 494GOPS/Wの再構成可能二電源4方向SIMDベクトル処理アクセラレータ

A 300 mV 494GOPS/W Reconfigurable Dual-Supply 4-Way SIMD Vector Processing Accelerator in 45 nm CMOS

著者 (7件)： KAUL Himanshu (Intel Corp., OR, USA) ,  ANDERS Mark A. (Intel Corp., OR, USA) ,  MATHEW Sanu K. (Intel Corp., OR, USA) ,  HSU Steven K. (Intel Corp., OR, USA) ,  AGARWAL Amit (Intel Corp., OR, USA) ,  KRISHNAMURTHY Ram K. (Intel Corp., OR, USA) ,  BORKAR Shekhar (Intel Corp., OR, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 45  号： 1  ページ： 95-102  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nm高k金属ゲートCMOSにより製作した,4方向単一命令複数データ(SIMD)アクセラレータの設計について報告した。データパスの最適化と再構成可能回路によりアクセラレータエネルギーを効率的に改善でき,二電源ベースの電力管理により,同一動作周波数で41%のモード依存電力の節約ができた。広範囲な電圧レンジ(1.3V~230mV)にわたる動作能力は,目標性能要求と電力バジェットに基づいた動的な様々な動作条件によるエネルギー遅延トレードオフを最適化できた。1.1V,50°Cにおいて,161mWの最悪ケースのスイッチング電力をもつ公称性能2.3GHzを測定できた。このアクセラレータは,二電源ベースの70mVの補償を用いた超低電圧モードでの性能変動に対して3倍の耐性をもつことを示した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *SIMD ,  *演算方式 ,  *データ処理システム ,  誘電材料 ,  ゲート【半導体】 ,  データパス ,  電力管理 ,  CMOS
準シソーラス用語： *アクセラレータ ,  *ベクトル処理 ,  金属ゲート ,  高k材料 ,  再構成可能データパス ,  単一命令複数データ流

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  汎用演算制御装置  (JC04020N) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  再構成可能 ,  4方向 ,  SIMD ,  ベクトル処理 ,  アクセラレータ