抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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富士通は,社会基盤を支えるサーバ商品に搭載するプロセッサを国内では唯一独自開発している。その開発戦略は,半導体部門と協力してテクノロジと同時にプロセッサを並行開発するものである。ここで紹介するSRAM技術とは半導体製造と回路方式の複合技術であり,高性能,小面積,低消費電力の相反する要件を高いレベルで満足させ,テクノロジの立上げと同時に完全動作させるために必要な技術である。プロセッサのシステムクロック限界を律速するのは1次キャッシュ用高速SRAMの動作速度であり,処理のボトルネックとなる外部メモリのアクセス頻度を決めるのは2次キャッシュ用高密度SRAMの搭載容量である。この観点からSRAMはプロセッサのキーコンポーネントと言える。一方,半導体の微細化に伴い様々な弊害が顕在化し,SRAMの記憶素子であるメモリセルの製造ばらつきが増大している。このためサーバプロセッサの要件を満たせるようなSRAMの開発は非常に難易度が増している。本稿では,このような状況の中で,富士通がサーバプロセッサ用SRAMをどのように開発しているのかを紹介する。(著者抄録)
