文献

J-GLOBAL ID：201002249438771418   整理番号：10A0924607

III-V系反転型エンハンスメントモードMOSFETの劣化

Degradation of III-V inversion-type enhancement-mode MOSFETs

著者 (6件)： WRACHIEN N. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  CESTER A. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI E. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MENEGHESSO G. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  WU Y. Q. (Purdue Univ., IN, USA) ,  YE P. D. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 536-542  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるゲート長をもつIII-V InGaAs系反転モードMOSFETに印加した,ゲートランプストレスの結果を示した。これは,初めてのInGaAs系MOSFETへの電気ストレスに関する詳細な体系的検討結果である。このストレスにより,サブしきい値傾斜と相互コンダクタンスへの致命的効果を示す,捕獲電荷と界面トラップの発生を生じた。界面トラップ発生が,移動度とサブしきい値傾斜の劣化によりオン状態電流を減少した。また,負電荷捕獲が,しきい値電圧増加とさらにオン状態電流の減少を生じた。さらに,界面トラップ発生が,フェルミ準位のピニングによりオフ状態漏洩電流の増加に寄与した。電界を局部的に増すゲート端近傍のゲート誘電膜中正電荷捕獲による寄生横形MOSFETの起動により,オフ状態漏洩電流の増加を生じた。約7MV/cmのAl₂O₃電界で,素子の特異なソフト破壊を観測した。このソフト破壊は,超低周波ランダム電信雑音(RTN)型高ゲート電流特性を示し,抵抗性メモリで起こるように,酸化膜中フィラメントの発生および破壊と相関関係があるように見えた。

シソーラス用語： *反転層 ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *信頼性 ,  化学蒸着 ,  相互コンダクタンス ,  閾値 ,  捕獲中心 ,  キャリア捕獲 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  ドレイン【半導体】 ,  電圧 ,  不規則雑音 ,  フィラメント
準シソーラス用語： ALD ,  サブ閾値 ,  界面トラップ ,  閾値電圧 ,  RTN

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 反転型 ,  エンハンスメントモード ,  MOSFET