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J-GLOBAL ID：201002249489681790   整理番号：10A0846844

非冷却赤外線画像センサの応用のための変調ドープヘテロ構造熱電堆

Modulation-Doped Heterostructure-Thermopiles for Uncooled Infrared Image-Sensor Application

著者 (1件)： ABE Masayuki (3D-bio Co., Ltd., Hadano-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 8  ページ： 1302-1308  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調ドープAlGaAs/InGaAs,AlGaN/GaN,そしてZnMgO/ZnOヘテロ構造に基づく新しい熱電堆を,非冷却赤外線画像センサの応用のため,初めて提案しそして設計した。これらのデバイスは,ヘテロ接合インタフェイスでの高純度チャネル層による2DEG(二次元電子ガス)と2DHG(二次元ホールガス)の,優れたSeebeck係数と優れて高い移動度両方による高い性能を提供することが期待された。AlGaAs/InGaAs熱電堆は,1.1x10^-2/Kと同じ大きさの性能指数Z(T=300Kで単一以上のZT=3.3)を持ち,そして非冷却低コスト可能性を持つ15,200V/Wの高い応答性Rと1.8x10⁹cmHz^1/2/Wの高い検出感度Dで実現できた。AlGaN/GaNとZnMgO/ZnO熱電堆は,強いフォノン薬効による高いSeebeck係数の,と同じくそれらの大きい分極電荷効果(自発的そしてピエゾの分極電荷)による高いシートキャリア濃度の,利点を持った。AlGaN/GaNによる0.9nsの高速応答時間τとまたZnMgO/ZnO熱電堆によるより低いコストを実現できた。ここで述べた変調ドープヘテロ構造熱電堆は,非冷却赤外線画像センサの応用と,そしてHEMT機能集積回路デバイス及びInGaAs,GaN,そしてZnO PiNフォトダイオードのような他の光子検出器とのモノリシック集積に使われることが期待された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *赤外線画像 ,  *イメージセンサ ,  *変調ドーピング ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  窒化ガリウム ,  酸化亜鉛 ,  ヘテロ接合 ,  インタフェイス ,  移動度 ,  性能指数 ,  応答特性 ,  HEMT ,  フォトダイオード ,  熱電対
準シソーラス用語： AlGaN ,  Seebeck係数 ,  *ヘテロ構造 ,  高速応答 ,  *熱電堆

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (18件)：

• LEVINE, B. F. High-detectivity D^*=1.0×10^<10> cmHz^<1/2>/W GaAs/AlGaAs multiquantum well λ=8.3μm infrared detector. Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 296-298
• GUNAPALA, S. D. 640×486 long-wavelength two-color GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) focal plane array camera. IEEE Trans. Electron Devices. 2000, 47, 5, 963-971
• GUNAPALA, S. D. 640×512 pixel long-wavelength infrared narrowband, multiband, and broadband QWIP focal plane arrays. IEEE Trans. Electron Devices. 2003, 50, 12, 2353-2360
• LUCAS, C. Infrared detection, some recent developments and future trends. Sens. Actuators A. 1991, 25-27, 147-153
• TANIGUCHI, Y. Pyro-electric infrared sensor using PZT thin plate on diaphragm as sensitive elements. IEICE Trans. Electron. (Japanese Edition), C-II. 1996, J79-C-II, 1, 24-32

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外線画像 ,  応用 ,  変調ドープ ,  ヘテロ構造 ,  熱電堆