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J-GLOBAL ID：201002249516327864   整理番号：10A0136010

Ptスペーサー有無のCo/FeMn/Co多層膜の垂直磁化の振る舞い

Perpendicular magnetization behaviors of Co/FeMn/Co multilayers with and without Pt spacer

著者 (6件)： LIU Y. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  FU Y. Q. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  LIU S. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  JIN C. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  LI M. H. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  YU G. H. (Dep. of Materials Physics and Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 2  ページ： 023912  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FeMn層の上下にそれぞれPtスペーサー層をつけて,マグネトロンスパッタリングでのCo/FeMn/Co多層膜の磁化への界面効果が研究された。Co層の厚さによる磁化の変化は,Co層及びFeMn層の極薄の極限での,界面スピンの方向及び回転に強く依存し,そしてそれは強磁性と反強磁性の界面での磁気的異方性で定まる。Ptスペーサー層があってもなくても,垂直磁化はFeMn層によりかなり増大する,Co/FeMn界面にPtスペーサーを挿入すると増大はやみ,一方FeMn/Co界面でのPtスペーサーによってはほとんど変化しない。たとえ垂直誘導磁場を膜成長中に加えても,0.4nmのPtスペーサーを挿入しないかぎり,垂直交換バイアスはCo/FeMn界面で誘導されない,このことは界面の打ち消されないスピンがなかなか困難軸に固定されないことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多層膜 ,  *垂直磁化 ,  スペーサ ,  *コバルト ,  *サンドイッチ構造 ,  金属薄膜 ,  鉄 ,  マンガン ,  *合金

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  スペーサー ,  CO ,  多層膜 ,  垂直磁化