レンズパターン形成サファイア(0001)上に製作された青色LEDチップの放射角の増大

KISSINGER Suthan; JEONG Seong-muk; YUN Seok-hyo; LEE Seung Jae; KIM Dong-wook; LEE In-hwan; LEE Cheul-ro

文献

J-GLOBAL ID：201002249587737486 整理番号：10A0290242

レンズパターン形成サファイア(0001)上に製作された青色LEDチップの放射角の増大

Enhancement in emission angle of the blue LED chip fabricated on lens patterned sapphire (0001)

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資料名：
巻： 54 号： 5 ページ： 509-515 発行年： 2010年05月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

金属有機化学気相生長(MOCVD)の単一プロセスを使い,レンズパターン形成サファイア基板(LPSS)上にInGaN多重量子井戸(MQW)構造を持つ青色発光ダイオード(LED)を製作した。本研究では誘導結合プラズマ(ICP)ドライエッチング法で(0001)_sappire方向にレンズ形状を持つパターン形成基板(PSS)を製作した。この青色発光ダイオード(LED)を室温において20mAの順方向バイアスで動作させた場合,出力パワーと発光強度はそれぞれ69.3μWと159.2mcdであることが推定された。発光強度は20mAの注入電流で従来のサファイア基板(CSS)LEDのそれより2.5倍高いことが分った。20mAの注入電流ではLPSS-LEDの放射角は161.46°でCSS-LEDのそれより1.17倍高い。さらに重要なことにLPSS上のLEDは従来のサファイア基板(CSS)上LEDのそれに比べ,高い出力パワーと放射効率の増加を示した。さらにPSS上GaNのHR-XRD曲線における半値全幅の低下は結晶品質の向上を示唆している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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発光素子 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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