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J-GLOBAL ID：201002249697480812   整理番号：10A0924964

0.13μm CMOSにおける4x4Butlerマトリックスと集積化した吸収SP4Tスイッチを用いたVバンド切換型ビーム成形

A V-band Switched Beam-Forming Network Using Absorptive SP4T Switch Integrated with 4x4 Butler Matrix in 0.13-μm CMOS

著者 (5件)： PARK Konggyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Wooyeol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Youngmin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kihyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Youngwoo (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 91-95  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波通信に不可欠なビーム成形回路網の低コスト化のため,吸収単極4接続(SP4T)スイッチを4x4Butlerマトリックスと共に標準0.13μm CMOSプロセスで集積化した単一チップのスイッチ・ビーム成形回路網をVバンドで実証した。このSP4Tスイッチは遮断特性>31dB,不活性出力ポートのリターンロス>14dBで,集積化ビーム成形器ICの全体挿入損は60GHzで約7.5dB(この内3dBはButlerマトリックスに因る),位相誤差±12%であること測定結果で実証し,4ビームを発生することを測定したSパラメータで示した。

シソーラス用語： *ミリ波通信 ,  指向性アンテナ ,  *ビーム成形 ,  *ネットワーク ,  スイッチ ,  *半導体集積回路 ,  周波数帯 ,  挿入損 ,  誤差
準シソーラス用語： Butlerマトリックス ,  *CMOS集積回路 ,  SP4Tスイッチ ,  Vバンド ,  位相誤差

分類 (4件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  アンテナ  (ND06000M) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  マトリックス ,  集積化 ,  Vバンド ,  切換 ,  ビーム成形